GE Fanu|CM400RGICH1AFD|IGBT Modülü
GE Fanuc CM400RGICH1AFD IGBT Modülü
Açıklama
GE Fanuc CM400RGICH1AFD, endüstriyel motor sürücülerinde, invertörlerde ve güç dönüştürme sistemlerinde kullanılmak üzere tasarlanmış, yüksek güçlü yalıtımlı kapılı bipolar transistör (IGBT) modülüdür.
Özellikler
Dahili serbest dolaşım diyotlarına sahip çift IGBT yapılandırması. Yüksek anahtarlama frekansı ve düşük iletim kaybı için optimize edilmiştir. Sıcaklık izleme için NTC termistör içerir.
Teknik Özellikler
Kollektör-emiter gerilim değeri (VCES): 1200 V
Sürekli kollektör akımı (IC): 25°C'de 400 A
Tepe kollektör akımı (ICM): 800 A
Kapı-emiter gerilimi (VGES): maksimum ±20 V
Anahtarlama enerjisi (Eon + Eoff): 600 V, 400 A, 150°C'de yaklaşık 250 mJ
Çalışma jonksiyon sıcaklığı: –40°C ila +150°C
Termal direnç (Rth(j-c)): 0,035°C/W
NTC termistör direnci: 25°C'de 5 kΩ
İzolasyon gerilimi: 4000 V AC (1 dk.)
GE Fanu|CM400RGICH1AFD|IGBT Modülü
GE Fanu|CM400RGICH1AFD|IGBT Modülü
GE Fanuc CM400RGICH1AFD IGBT Modülü
Açıklama
GE Fanuc CM400RGICH1AFD, endüstriyel motor sürücülerinde, invertörlerde ve güç dönüştürme sistemlerinde kullanılmak üzere tasarlanmış, yüksek güçlü yalıtımlı kapılı bipolar transistör (IGBT) modülüdür.
Özellikler
Dahili serbest dolaşım diyotlarına sahip çift IGBT yapılandırması. Yüksek anahtarlama frekansı ve düşük iletim kaybı için optimize edilmiştir. Sıcaklık izleme için NTC termistör içerir.
Teknik Özellikler
Kollektör-emiter gerilim değeri (VCES): 1200 V
Sürekli kollektör akımı (IC): 25°C'de 400 A
Tepe kollektör akımı (ICM): 800 A
Kapı-emiter gerilimi (VGES): maksimum ±20 V
Anahtarlama enerjisi (Eon + Eoff): 600 V, 400 A, 150°C'de yaklaşık 250 mJ
Çalışma jonksiyon sıcaklığı: –40°C ila +150°C
Termal direnç (Rth(j-c)): 0,035°C/W
NTC termistör direnci: 25°C'de 5 kΩ
İzolasyon gerilimi: 4000 V AC (1 dk.)
