GE Fanu|CM400RGICH1AFD|модуль IGBT
Модуль IGBT GE Fanuc CM400RGICH1AFD
Описание
GE Fanuc CM400RGICH1AFD — мощный модуль с биполярным транзистором с изолированным затвором (IGBT), предназначенный для использования в промышленных приводах, инверторах и системах преобразования электроэнергии.
Характеристики
Двухтранзисторная конфигурация IGBT со встроенными диодами свободного хода. Оптимизирован для высокой частоты переключения и низких потерь проводимости. Оснащён термистором NTC для контроля температуры.
Технические характеристики
Номинальное напряжение коллектор–эмиттер (VCES): 1200 V
Непрерывный ток коллектора (IC): 400 A при 25°C
Пиковый ток коллектора (ICM): 800 A
Максимальное напряжение затвор–эмиттер (VGES): ±20 V
Энергия переключения (Eon + Eoff): примерно 250 мДж при 600 V, 400 A, 150°C
Рабочая температура перехода: от –40°C до +150°C
Тепловое сопротивление (Rth(j-c)): 0,035°C/W
Сопротивление термистора NTC: 5 кΩ при 25°C
Изоляционное напряжение: 4000 V AC (1 мин)
GE Fanu|CM400RGICH1AFD|модуль IGBT
GE Fanu|CM400RGICH1AFD|модуль IGBT
Модуль IGBT GE Fanuc CM400RGICH1AFD
Описание
GE Fanuc CM400RGICH1AFD — мощный модуль с биполярным транзистором с изолированным затвором (IGBT), предназначенный для использования в промышленных приводах, инверторах и системах преобразования электроэнергии.
Характеристики
Двухтранзисторная конфигурация IGBT со встроенными диодами свободного хода. Оптимизирован для высокой частоты переключения и низких потерь проводимости. Оснащён термистором NTC для контроля температуры.
Технические характеристики
Номинальное напряжение коллектор–эмиттер (VCES): 1200 V
Непрерывный ток коллектора (IC): 400 A при 25°C
Пиковый ток коллектора (ICM): 800 A
Максимальное напряжение затвор–эмиттер (VGES): ±20 V
Энергия переключения (Eon + Eoff): примерно 250 мДж при 600 V, 400 A, 150°C
Рабочая температура перехода: от –40°C до +150°C
Тепловое сопротивление (Rth(j-c)): 0,035°C/W
Сопротивление термистора NTC: 5 кΩ при 25°C
Изоляционное напряжение: 4000 V AC (1 мин)
