1 4

GE Fanu|CM400RGICH1AFD|IGBT Module
SKU: CM400RGICH1AFD

  • Manufacturer: GE Fanuc

  • Product No.: CM400RGICH1AFD

  • Condition：В наличии

  • Product Type: IGBT Module

  • Product Origin: USA

  • Payment:T/T, Western Union

  • Weight: 3600g

  • Shipping port: Xiamen

  • Warranty: 12 months

GE Fanuc CM400RGICH1AFD IGBT Module

Description
The GE Fanuc CM400RGICH1AFD is a high-power insulated gate bipolar transistor (IGBT) module designed for use in industrial motor drives, inverters, and power conversion systems.

Features
Dual IGBT configuration with built-in freewheeling diodes. Optimized for high switching frequency and low conduction loss. Includes NTC thermistor for temperature monitoring.

Technical Specifications
Collector-emitter voltage rating (VCES): 1200 V
Continuous collector current (IC): 400 A at 25°C
Peak collector current (ICM): 800 A
Gate-emitter voltage (VGES): ±20 V maximum
Switching energy (Eon + Eoff): approx. 250 mJ at 600 V, 400 A, 150°C
Operating junction temperature: –40°C to +150°C
Thermal resistance (Rth(j-c)): 0.035°C/W
NTC thermistor resistance: 5 kΩ at 25°C
Isolation voltage: 4000 V AC (1 min)

Информация о заказе и гарантии

Условия покупки и возврата

Подробные инструкции по минимальному количеству заказа, срокам доставки, способам оплаты, гарантии и политике возврата.

Проверьте сейчас

Мы с радостью принимаем оптовые заказы с минимальным объемом заказа всего одна единица.

По запросу мы можем предоставить все необходимые документы, включая сертификаты происхождения/соответствия и другие необходимые экспортные документы.

Мы принимаем 100% оплату T/T (телеграфным переводом) перед отправкой. Для товаров со сроками поставки требуется предоплата в размере 30%, а оставшиеся 70% оплачиваются перед отправкой. Для перевода в юанях свяжитесь с нами, если у вас есть агент в Китае.

На все новые и оригинальные товары распространяется стандартная годовая гарантия. Для получения расширенной гарантии свяжитесь с нами для уточнения цен.

Мы уделяем приоритетное внимание вашему удовлетворению. Если вам необходимо вернуть товар, это необходимо сделать в течение 30 дней с момента покупки. Продукт должен быть неиспользованным, неоткрытым и находиться в оригинальной упаковке, включая все аксессуары. Возврат средств будет осуществлен в течение 5-7 рабочих дней с момента получения возврата. Обратите внимание, что расходы на доставку и обработку не подлежат возврату.
Проверьте сейчас

Сравнение продуктов

GE Fanu|CM400RGICH1AFD|IGBT Module
GE Fanu|CM400RGICH1AFD|IGBT Module
GE Fanu|CM400RGICH1AFD|IGBT Module
GE Fanu|CM400RGICH1AFD|IGBT Module
Текущий продукт Текущий
GE Fanuc

GE Fanu|CM400RGICH1AFD|IGBT Module

Параметры
В наличии
Описания

GE Fanuc CM400RGICH1AFD IGBT Module

Description
The GE Fanuc CM400RGICH1AFD is a high-power insulated gate bipolar transistor (IGBT) module designed for use in industrial motor drives, inverters, and power conversion systems.

Features
Dual IGBT configuration with built-in freewheeling diodes. Optimized for high switching frequency and low conduction loss. Includes NTC thermistor for temperature monitoring.

Technical Specifications
Collector-emitter voltage rating (VCES): 1200 V
Continuous collector current (IC): 400 A at 25°C
Peak collector current (ICM): 800 A
Gate-emitter voltage (VGES): ±20 V maximum
Switching energy (Eon + Eoff): approx. 250 mJ at 600 V, 400 A, 150°C
Operating junction temperature: –40°C to +150°C
Thermal resistance (Rth(j-c)): 0.035°C/W
NTC thermistor resistance: 5 kΩ at 25°C
Isolation voltage: 4000 V AC (1 min)