GE Fanu|CM400RGICH1AFD|IGBT Module

SKU: CM400RGICH1AFD

Manufacturer: GE Fanuc
Product No.: CM400RGICH1AFD
Condition：Em estoque
Product Type: IGBT Module
Product Origin: USA
Payment:T/T, Western Union
Weight: 3600g
Shipping port: Xiamen
Warranty: 12 months

GE Fanuc CM400RGICH1AFD IGBT Module

Description
The GE Fanuc CM400RGICH1AFD is a high-power insulated gate bipolar transistor (IGBT) module designed for use in industrial motor drives, inverters, and power conversion systems.

Features
Dual IGBT configuration with built-in freewheeling diodes. Optimized for high switching frequency and low conduction loss. Includes NTC thermistor for temperature monitoring.

Technical Specifications
Collector-emitter voltage rating (V_CES): 1200 V
Continuous collector current (I_C): 400 A at 25°C
Peak collector current (I_CM): 800 A
Gate-emitter voltage (V_GES): ±20 V maximum
Switching energy (E_on + E_off): approx. 250 mJ at 600 V, 400 A, 150°C
Operating junction temperature: –40°C to +150°C
Thermal resistance (R_th(j-c)): 0.035°C/W
NTC thermistor resistance: 5 kΩ at 25°C
Isolation voltage: 4000 V AC (1 min)

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