Módulo IGBT GE Fanu|CM400RGICH1AFD
Módulo IGBT GE Fanuc CM400RGICH1AFD
Descrição
O GE Fanuc CM400RGICH1AFD é um módulo de transístor bipolar de porta isolada (IGBT) de alta potência, concebido para utilização em acionamentos de motores industriais, inversores e sistemas de conversão de potência.
Características
Configuração dupla de IGBT com díodos de roda livre integrados. Otimizado para frequências de comutação elevadas e baixas perdas de condução. Inclui termístor NTC para monitorização da temperatura.
Especificações técnicas
Tensão nominal coletor-emissor (VCES): 1200 V
Corrente contínua do coletor (IC): 400 A a 25°C
Corrente de pico do coletor (ICM): 800 A
Tensão porta-emissor (VGES): ±20 V no máximo
Energia de comutação (Eon + Eoff): aprox. 250 mJ a 600 V, 400 A, 150°C
Temperatura de funcionamento da junção: –40°C a +150°C
Resistência térmica (Rth(j-c)): 0,035°C/W
Resistência do termístor NTC: 5 kΩ a 25°C
Tensão de isolamento: 4000 V AC (1 min)
Módulo IGBT GE Fanu|CM400RGICH1AFD
Módulo IGBT GE Fanu|CM400RGICH1AFD
Módulo IGBT GE Fanuc CM400RGICH1AFD
Descrição
O GE Fanuc CM400RGICH1AFD é um módulo de transístor bipolar de porta isolada (IGBT) de alta potência, concebido para utilização em acionamentos de motores industriais, inversores e sistemas de conversão de potência.
Características
Configuração dupla de IGBT com díodos de roda livre integrados. Otimizado para frequências de comutação elevadas e baixas perdas de condução. Inclui termístor NTC para monitorização da temperatura.
Especificações técnicas
Tensão nominal coletor-emissor (VCES): 1200 V
Corrente contínua do coletor (IC): 400 A a 25°C
Corrente de pico do coletor (ICM): 800 A
Tensão porta-emissor (VGES): ±20 V no máximo
Energia de comutação (Eon + Eoff): aprox. 250 mJ a 600 V, 400 A, 150°C
Temperatura de funcionamento da junção: –40°C a +150°C
Resistência térmica (Rth(j-c)): 0,035°C/W
Resistência do termístor NTC: 5 kΩ a 25°C
Tensão de isolamento: 4000 V AC (1 min)
