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GE Fanu|CM400RGICH1AFD|Module IGBT
SKU: CM400RGICH1AFD

  • Manufacturer: GE Fanuc

  • Product No.: CM400RGICH1AFD

  • Condition：En stock

  • Product Type: Module IGBT

  • Product Origin: USA

  • Payment:T/T, Western Union

  • Weight: 3600g

  • Shipping port: Xiamen

  • Warranty: 12 months

Module IGBT GE Fanuc CM400RGICH1AFD

Description
Le GE Fanuc CM400RGICH1AFD est un module de transistors bipolaires à grille isolée (IGBT) haute puissance, conçu pour être utilisé dans les variateurs de moteurs industriels, les onduleurs et les systèmes de conversion de puissance.

Caractéristiques
Configuration à deux IGBT avec diodes de roue libre intégrées. Optimisé pour une fréquence de commutation élevée et de faibles pertes de conduction. Comprend une thermistance CTN pour la surveillance de la température.

Spécifications techniques
Tension nominale collecteur-émetteur (VCES) : 1200 V
Courant de collecteur continu (IC) : 400 A à 25°C
Courant de collecteur de crête (ICM) : 800 A
Tension grille-émetteur (VGES) : ±20 V maximum
Énergie de commutation (Eon + Eoff) : environ 250 mJ à 600 V, 400 A, 150°C
Température de jonction en fonctionnement : –40°C à +150°C
Résistance thermique (Rth(j-c)) : 0.035°C/W
Résistance de la thermistance CTN : 5 kΩ à 25°C
Tension d’isolement : 4000 V AC (1 min)

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Produit actuel Actuel
GE Fanuc

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Possibilités
En stock
Descriptions

Module IGBT GE Fanuc CM400RGICH1AFD

Description
Le GE Fanuc CM400RGICH1AFD est un module de transistors bipolaires à grille isolée (IGBT) haute puissance, conçu pour être utilisé dans les variateurs de moteurs industriels, les onduleurs et les systèmes de conversion de puissance.

Caractéristiques
Configuration à deux IGBT avec diodes de roue libre intégrées. Optimisé pour une fréquence de commutation élevée et de faibles pertes de conduction. Comprend une thermistance CTN pour la surveillance de la température.

Spécifications techniques
Tension nominale collecteur-émetteur (VCES) : 1200 V
Courant de collecteur continu (IC) : 400 A à 25°C
Courant de collecteur de crête (ICM) : 800 A
Tension grille-émetteur (VGES) : ±20 V maximum
Énergie de commutation (Eon + Eoff) : environ 250 mJ à 600 V, 400 A, 150°C
Température de jonction en fonctionnement : –40°C à +150°C
Résistance thermique (Rth(j-c)) : 0.035°C/W
Résistance de la thermistance CTN : 5 kΩ à 25°C
Tension d’isolement : 4000 V AC (1 min)