GE Fanuc|DS200TCQAG1BD|Módulo de Salida de Transistor
Módulo de salida transistor GE Fanuc DS200TCQAG1BD
Descripción
El GE Fanuc DS200TCQAG1BD es un módulo de salida transistor diseñado para su uso en sistemas de automatización y control industrial.
El GE Fanuc DS200TCQAG1BD es un módulo de salida transistor diseñado para su uso en sistemas de automatización y control industrial.
Características
- Capacidad de conmutación de alta velocidad
- Rendimiento confiable de salida de estado sólido
- Diseño compacto para instalación eficiente en espacio
- Compatible con el sistema de control Mark VI
- Indicadores LED para monitoreo de estado
Especificaciones Técnicas
- Tipo de salida: transistor
- Número de salidas: 32 canales
- Voltaje de salida: 24 VCC
- Corriente máxima de carga: 0.5 A por canal
- Corriente de fuga: menos de 1 mA
- Tiempo de respuesta: menos de 1 ms
- Aislamiento: aislamiento óptico entre canales y backplane
- Fuente de alimentación: +5 VCC y +24 VCC desde el backplane
- Temperatura de operación: 0 °C a 60 °C
- Temperatura de almacenamiento: -40 °C a 85 °C
- Humedad: 5% a 95% sin condensación
- Interfaz de comunicación: protocolo nativo de bus de campo GE Fanuc
- Dimensiones del módulo: tamaño estándar IC69
GE Fanuc|DS200TCQAG1BD|Módulo de Salida de Transistor
Producto actual
Actual
Proveedor:
GE Fanuc
GE Fanuc|DS200TCQAG1BD|Módulo de Salida de Transistor
Precio habitual
$220.00
Precio de venta
$220.00
Precio habitual
$410.00
Opciones
Descripciones
Módulo de salida transistor GE Fanuc DS200TCQAG1BD
Descripción
El GE Fanuc DS200TCQAG1BD es un módulo de salida transistor diseñado para su uso en sistemas de automatización y control industrial.
El GE Fanuc DS200TCQAG1BD es un módulo de salida transistor diseñado para su uso en sistemas de automatización y control industrial.
Características
- Capacidad de conmutación de alta velocidad
- Rendimiento confiable de salida de estado sólido
- Diseño compacto para instalación eficiente en espacio
- Compatible con el sistema de control Mark VI
- Indicadores LED para monitoreo de estado
Especificaciones Técnicas
- Tipo de salida: transistor
- Número de salidas: 32 canales
- Voltaje de salida: 24 VCC
- Corriente máxima de carga: 0.5 A por canal
- Corriente de fuga: menos de 1 mA
- Tiempo de respuesta: menos de 1 ms
- Aislamiento: aislamiento óptico entre canales y backplane
- Fuente de alimentación: +5 VCC y +24 VCC desde el backplane
- Temperatura de operación: 0 °C a 60 °C
- Temperatura de almacenamiento: -40 °C a 85 °C
- Humedad: 5% a 95% sin condensación
- Interfaz de comunicación: protocolo nativo de bus de campo GE Fanuc
- Dimensiones del módulo: tamaño estándar IC69
