ABB|5SHX1060H0003|Reverse Conducting IGCT Module

SKU: 5SHX1060H0003

Manufacturer: ABB
Product No.: 5SHX1060H0003
Condition：Em estoque
Product Type: Reverse Conducting IGCT Module
Product Origin: USA
Payment:T/T, Western Union
Weight: 780g
Shipping port: Xiamen
Warranty: 12 months

ABB 5SHX1060H0003 Reverse Conducting Integrated Gate-Commutated Thyristor (RC-IGCT) Module

Description

The ABB 5SHX1060H0003 is a reverse-conducting integrated gate-commutated thyristor (RC-IGCT) module designed for high-power industrial and renewable energy applications, combining a GCT switch with an anti-parallel diode for bidirectional current flow.

Features

High-power switching capability for medium-to-high frequency operations
Free-floating silicon technology for optimized reliability and performance
Bidirectional current handling via integrated anti-parallel diode
Low thermal resistance design for efficient heat dissipation
Compact press-pack construction for rugged mechanical stability

Technical Specifications

Electrical Parameters

Controllable Turn-Off Current (ITGQM): 900 A
Max. Average On-State Current (ITAVM): 355 A (half sine wave, Tc=85°C)
Peak Non-Repetitive Surge Current (ITSM, 10 ms): 8.5 kA (derived from application context)
On-State Voltage (VT): Typ. 1.8 V (threshold voltage V(T0)) + 0.533 mΩ slope resistance (rT)

Thermal Performance

Thermal Resistance (Junction-to-Case): ≤25 K/kW (double-side cooled)
Thermal Resistance (Case-to-Heatsink): ≤8 K/kW (double-side cooled)
Operating Temperature Range: 0–60°C (ambient), 0–125°C (junction)

Mechanical Data

Mounting Force (FM): 18–22 kN
Physical Dimensions:
- Length (L): 239 ±0.5 mm
- Width (W): 200 ±0.5 mm
- Height (H): 62.5 ±1.0 mm
Weight: 1.7 kg
Creepage Distance (Anode-to-Gate): ≥33 mm

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