ABB|5SHX1060H0002|Módulo IGCT de condução inversa

SKU: 5SHX1060H0002
  • Manufacturer: ABB

  • Product No.: 5SHX1060H0002

  • Condition:Em estoque

  • Product Type: Módulo IGCT de condução inversa

  • Product Origin: USA

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  • Weight: 780g

  • Shipping port: Xiamen

  • Warranty: 12 months

Módulo de tirístor integrado de comutação de gate com condução inversa (RC-IGCT) ABB 5SHX1060H0002

Descrição

O ABB 5SHX1060H0002 é um módulo de tirístor integrado de comutação de gate com condução inversa (RC-IGCT), concebido para aplicações eletrónicas de alta potência, com desempenho de comutação otimizado e elevada fiabilidade.

Características

  • Elevada capacidade de desligamento sem snubber
  • Otimizado para funcionamento em frequência média
  • Elevada imunidade eletromagnética
  • Interface de controlo ótico simples com feedback de estado
  • Suporte para tensão de alimentação CA/CC

Especificações técnicas

  • Valores nominais de tensão:
    • Tensão de estado desligado de pico repetitiva (VDRM): 1700 V
    • Tensão CC permanente (VDC): 1000 V
  • Valores nominais de corrente:
    • Corrente de desligamento controlável (ITGQM): 600 A
    • Corrente de surto de pico não repetitivo (ITSM, 10 ms): 8,5 kA
    • Corrente média no estado ligado (IT(AV)M): 300 A (onda sinusoidal de meio ciclo, Tc=85 °C)
  • Características no estado ligado:
    • Tensão no estado ligado (VT, IT=600 A, Tvj=125 °C): Típ. 1,8 V (tensão de limiar V(T0)), resistência de inclinação de 0,533 mΩ (rT)
  • Parâmetros de comutação:
    • Tempo de atraso ao desligar (td(off)): Típ. 7 μs
    • Energia de desligamento por impulso (Eoff): 7,8–12 J
    • di/dt crítico para ligar: 650 A/μs
  • Parâmetros térmicos:
    • Temperatura de funcionamento da junção (Tvj): 0–125 °C
    • Resistência térmica (junção para caixa, GCT): 12,6 K/kW
  • Dados mecânicos:
    • Força de montagem (FM): 42–46 kN
    • Peso: 2,9 kg
    • Distância de fuga à superfície (ânodo para gate): 33 mm
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