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ABB|5SHX0845F0001| IGCT Gate Unit
SKU: 5SHX0845F0001

  • Manufacturer: ABB

  • Product No.: 5SHX0845F0001

  • Condition：Em estoque

  • Product Type: IGCT Gate Unit

  • Product Origin: USA

  • Payment:T/T, Western Union

  • Weight: 780g

  • Shipping port: Xiamen

  • Warranty: 12 months

ABB 5SHX0845F0001 IGCT Gate Unit

Description

ABB 5SHX0845F0001 is an Integrated Gate-Commutated Thyristor (IGCT) gate unit designed for converter applications such as Voltage/Current Source Inverters, Resonance Converters, and Static Breakers, with standardized control parameters for reliable operation.

Features

  • Standardized control parameters (turn-on/off pulse amplitudes, width, rise rate, gate inductance, back-porch current).
  • Two generations (A/B) with similar circuitry but different mechanical sizes/drive dimensions.
  • Optical control interface with 1 mm POF fiber, robust against EMI.
  • Diagnostics/protection functions: status feedback, fault detection, anode voltage monitoring (optional for Gen B).
  • Thermal management and vibration compliance for industrial environments.

Technical Specifications

  • Input Voltage: VGIN,RMS within specified range (square-wave AC; avoid sinusoidal), minimum 28 V during start-up.
  • Power Consumption: Load-dependent, influenced by turn-off current (ITGQ), switching frequency (fS), and silicon temperature (Tvj).
  • Switching Delays: Typical turn-on/off delay ~2.8 μs (50% CS to 50% VGK).
  • Pulse Widths: Minimum ON/OFF pulse widths as per IGCT data sheet; glitch filter ignores pulses <400 ns.
  • Burst Capability: Supports high-current pulse sequences (e.g., 100 pulses of 3 kA within 20 ms with VGAC ≥40 V).
  • Environmental Limits:
    • Ambient temperature: Dependent on load (refer to lifetime operation curves).
    • Vibration: Compliant with IEC 68 (5–150 Hz, up to 2.5gn sine sweep; shock 15–30gn).
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ABB 5SHX0845F0001 IGCT Gate Unit

Description

ABB 5SHX0845F0001 is an Integrated Gate-Commutated Thyristor (IGCT) gate unit designed for converter applications such as Voltage/Current Source Inverters, Resonance Converters, and Static Breakers, with standardized control parameters for reliable operation.

Features

  • Standardized control parameters (turn-on/off pulse amplitudes, width, rise rate, gate inductance, back-porch current).
  • Two generations (A/B) with similar circuitry but different mechanical sizes/drive dimensions.
  • Optical control interface with 1 mm POF fiber, robust against EMI.
  • Diagnostics/protection functions: status feedback, fault detection, anode voltage monitoring (optional for Gen B).
  • Thermal management and vibration compliance for industrial environments.

Technical Specifications

  • Input Voltage: VGIN,RMS within specified range (square-wave AC; avoid sinusoidal), minimum 28 V during start-up.
  • Power Consumption: Load-dependent, influenced by turn-off current (ITGQ), switching frequency (fS), and silicon temperature (Tvj).
  • Switching Delays: Typical turn-on/off delay ~2.8 μs (50% CS to 50% VGK).
  • Pulse Widths: Minimum ON/OFF pulse widths as per IGCT data sheet; glitch filter ignores pulses <400 ns.
  • Burst Capability: Supports high-current pulse sequences (e.g., 100 pulses of 3 kA within 20 ms with VGAC ≥40 V).
  • Environmental Limits:
    • Ambient temperature: Dependent on load (refer to lifetime operation curves).
    • Vibration: Compliant with IEC 68 (5–150 Hz, up to 2.5gn sine sweep; shock 15–30gn).