Módulo de Potência IGBT ABB 3BHB002000R0001 B25835S2205K007
Módulo de Potência IGBT ABB B25835S2205K007
Descrição
O produto é um módulo de potência Transistor Bipolar de Porta Integrada (IGBT) da ABB, modelo B25835S2205K007.
Características
Este módulo de potência IGBT é projetado para aplicações de inversores de fonte de tensão de média a alta potência, apresentando alta eficiência, baixas perdas na comutação e alta capacidade de suportar curto-circuito.
Especificações Técnicas
-
Classificação de Tensão: Tensão nominal é 3300 V.
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Classificação de Corrente: Corrente nominal do coletor é 1200 A a 80°C de temperatura da carcaça.
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Velocidade de Comutação: Comutação rápida com tempo típico de queda na desativação de 0,4 microssegundos.
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Resistência Térmica: Baixa resistência térmica junção-carcasa de 0,012 K/W.
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Tensão de Isolamento: Tensão de isolamento entre a base e os terminais é de 6000 V CA durante 60 segundos.
Módulo de Potência IGBT ABB 3BHB002000R0001 B25835S2205K007
Módulo de Potência IGBT ABB 3BHB002000R0001 B25835S2205K007
Módulo de Potência IGBT ABB B25835S2205K007
Descrição
O produto é um módulo de potência Transistor Bipolar de Porta Integrada (IGBT) da ABB, modelo B25835S2205K007.
Características
Este módulo de potência IGBT é projetado para aplicações de inversores de fonte de tensão de média a alta potência, apresentando alta eficiência, baixas perdas na comutação e alta capacidade de suportar curto-circuito.
Especificações Técnicas
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Classificação de Tensão: Tensão nominal é 3300 V.
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Classificação de Corrente: Corrente nominal do coletor é 1200 A a 80°C de temperatura da carcaça.
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Velocidade de Comutação: Comutação rápida com tempo típico de queda na desativação de 0,4 microssegundos.
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Resistência Térmica: Baixa resistência térmica junção-carcasa de 0,012 K/W.
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Tensão de Isolamento: Tensão de isolamento entre a base e os terminais é de 6000 V CA durante 60 segundos.
