Modul Daya IGBT ABB 3BHB002000R0001 B25835S2205K007
Modul Daya IGBT ABB B25835S2205K007
Deskripsi
Produk ini adalah modul daya Integrated Gate Bipolar Transistor (IGBT) ABB, model B25835S2205K007.
Fitur
Modul daya IGBT ini dirancang untuk aplikasi inverter sumber tegangan daya menengah hingga tinggi, dengan efisiensi tinggi, kerugian switching rendah, dan kemampuan tahan hubung singkat yang tinggi.
Spesifikasi Teknis
-
Rating Tegangan: Tegangan terukur adalah 3300 V.
-
Rating Arus: Arus kolektor terukur adalah 1200 A pada suhu case 80°C.
-
Kecepatan Switching: Switching cepat dengan waktu mati (turn-off) tipikal 0,4 mikrodetik.
-
Resistansi Termal: Resistansi termal rendah dari junction ke case sebesar 0,012 K/W.
-
Tegangan Isolasi: Tegangan isolasi antara baseplate dan terminal adalah 6000 V AC selama 60 detik.
Modul Daya IGBT ABB 3BHB002000R0001 B25835S2205K007
Modul Daya IGBT ABB 3BHB002000R0001 B25835S2205K007
Modul Daya IGBT ABB B25835S2205K007
Deskripsi
Produk ini adalah modul daya Integrated Gate Bipolar Transistor (IGBT) ABB, model B25835S2205K007.
Fitur
Modul daya IGBT ini dirancang untuk aplikasi inverter sumber tegangan daya menengah hingga tinggi, dengan efisiensi tinggi, kerugian switching rendah, dan kemampuan tahan hubung singkat yang tinggi.
Spesifikasi Teknis
-
Rating Tegangan: Tegangan terukur adalah 3300 V.
-
Rating Arus: Arus kolektor terukur adalah 1200 A pada suhu case 80°C.
-
Kecepatan Switching: Switching cepat dengan waktu mati (turn-off) tipikal 0,4 mikrodetik.
-
Resistansi Termal: Resistansi termal rendah dari junction ke case sebesar 0,012 K/W.
-
Tegangan Isolasi: Tegangan isolasi antara baseplate dan terminal adalah 6000 V AC selama 60 detik.
