ABB|5SHX0445D0001| IGCT Gate Unit

SKU: 5SHX0445D0001
  • Manufacturer: ABB

  • Product No.: 5SHX0445D0001

  • Condition:En stock

  • Product Type: IGCT Gate Unit

  • Product Origin: USA

  • Payment:T/T, Western Union

  • Weight: 780g

  • Shipping port: Xiamen

  • Warranty: 12 months

ABB 5SHX0445D0001 IGCT Gate Unit

Description

ABB 5SHX0445D0001 is an Integrated Gate-Commutated Thyristor (IGCT) gate unit designed for high-power converter applications, supporting standardized control parameters for reliable operation in Voltage/Current Source Inverters and Static Breakers.

Features

  • Standardized control parameters for turn-on/off pulses, gate inductance, and back-porch current.
  • Generation A gate unit with shared circuitry and mechanical design variations.
  • Optical control interface with EMI resistance, using 1 mm POF fiber (200 μm HCS for long distances).
  • Diagnostic functions: optical status feedback, LED indicators, and fault detection.

Technical Specifications

  • Power Supply:
    • Input voltage (VGIN,RMS): Must stay within datasheet range; square-wave AC only (sinusoidal AC prohibited).
    • Start-up voltage: ≥28 V to avoid malfunction; peak current may cause voltage dips at connector X1.
    • Burst capability: Handles 100 pulses of 3 kA within 20 ms with VGAC ≥40 V (model-specific factor: 0.715 kA).
  • Switching Performance:
    • Turn-on/off delay: ~2.8 μs (50% command signal to 50% VGK).
    • Glitch filter: Ignores pulses <400 ns; minimum ON/OFF pulses follow IGCT datasheet.
    • Re-triggering: External re-trigger via 0.7–1.1 μs OFF pulses, earliest re-trigger >20 μs after turn-on.
  • Optical Interface:
    • 650 nm wavelength (HFBR-1528/HFBR-2521Z components).
    • Fiber requirements: Bend radius ≥35 mm; 1 mm POF (200 μm HCS for >15 m).
  • Environmental Limits:
    • Thermal: Capacitor lifetime ~20 years with forced air-cooling (velocity >0.5 m/s).
    • Vibration: IEC 68 compliant (5–57 Hz ±0.175 mm, 57–150 Hz 2.5gn; shock up to 30gn/11 ms).
    • EMI immunity: Withstands dv/dt >20 kV/μs (4 kV), di/dt 5 kA/μs (7 kA), and 40 kA magnetic fields at 30 cm.
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