ABB|5SHX1060H0002|Reverse Conducting IGCT Module

SKU: 5SHX1060H0002

Manufacturer: ABB
Product No.: 5SHX1060H0002
Condition：En stock
Product Type: Reverse Conducting IGCT Module
Product Origin: USA
Payment:T/T, Western Union
Weight: 780g
Shipping port: Xiamen
Warranty: 12 months

ABB 5SHX1060H0002 Reverse Conducting Integrated Gate-Commutated Thyristor (RC-IGCT) Module

Description

ABB 5SHX1060H0002 is a reverse-conducting integrated gate-commutated thyristor (RC-IGCT) module designed for high-power electronic applications, featuring optimized switching performance and robust reliability.

Features

High snubberless turn-off capability
Optimized for medium-frequency operation
High electromagnetic immunity
Simple optical control interface with status feedback
Support for AC/DC supply voltage

Technical Specifications

Voltage Ratings:
- Repetitive peak off-state voltage (VDRM): 1700 V
- Permanent DC voltage (VDC): 1000 V
Current Ratings:
- Controllable turn-off current (ITGQM): 600 A
- Peak non-repetitive surge current (ITSM, 10 ms): 8.5 kA
- Average on-state current (IT(AV)M): 300 A (half sine wave, Tc=85°C)
On-State Characteristics:
- On-state voltage (VT, IT=600 A, Tvj=125°C): Typ. 1.8 V (threshold voltage V(T0)), 0.533 mΩ slope resistance (rT)
Switching Parameters:
- Turn-off delay time (td(off)): Typ. 7 μs
- Turn-off energy per pulse (Eoff): 7.8–12 J
- Critical di/dt for turn-on: 650 A/μs
Thermal Parameters:
- Junction operating temperature (Tvj): 0–125°C
- Thermal resistance (junction-to-case, GCT): 12.6 K/kW
Mechanical Data:
- Mounting force (FM): 42–46 kN
- Weight: 2.9 kg
- Surface creepage distance (anode to gate): 33 mm

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