GE Fanuc|IS200EHPRG1DRB|Gate Pulse Amplifier Board

SKU: IS200EHPRG1DRB

Manufacturer: GE Fanuc
Product No.: IS200EHPRG1DRB
Condition：En stock
Product Type: Gate Pulse Amplifier Board
Product Origin: USA
Payment:T/T, Western Union
Weight: 2720g
Shipping port: Xiamen
Warranty: 12 months

Description

The GE Fanuc IS200EHPRG1DRB is a gate pulse amplifier board designed for GE EX2100 excitation systems, specializing in generating and amplifying gate signals for silicon-controlled rectifiers (SCRs) in high-power industrial applications like power plants and large generators . It ensures precise control of SCR firing sequences to regulate generator field current and maintain stable voltage output.

Features

High-Power SCR Control: Generates low-voltage, high-current gate pulses to trigger SCRs in parallel configurations, supporting up to 8,000 A DC output in EX2100 systems .
Dual Redundancy: Features redundant power inputs (125 V DC nominal) and signal paths for fault-tolerant operation, ensuring continuous excitation control even during component failures .
Real-Time Diagnostics: Built-in LED indicators for power status, pulse activity, and fault detection (e.g., open circuit or overcurrent), enabling rapid troubleshooting .
Wide Voltage Tolerance: Operates with input voltages ranging from 100–140 V DC, accommodating fluctuations in industrial power supplies .
Modular Design: Compact form factor (100 mm × 150 mm) with DIN rail mounting for easy integration into EX2100 control cabinets .

Technical Specifications

Electrical Parameters

Input Voltage:
- Primary Power: 125 V DC (±15% tolerance) with reverse polarity protection .
- Current Consumption: ≤2 A under full load .
Output Characteristics:
- Gate Pulse Amplitude: 10–20 V DC (adjustable via onboard potentiometers).
- Pulse Width: 10–100 μs for SCR triggering .
- Maximum Load: 5 A per channel (sustained) with short-circuit protection .

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