Module de puissance IGBT ABB 3BHB002000R0001 B25835S2205K007
Module de puissance IGBT ABB B25835S2205K007
Description|Description
Le produit est un module de puissance Transistor Bipolaire à Grille Intégrée (IGBT) ABB, modèle B25835S2205K007.
Caractéristiques
Ce module de puissance IGBT est conçu pour des applications d'onduleurs à source de tension de puissance moyenne à élevée, offrant une haute efficacité, de faibles pertes de commutation et une grande capacité de tenue aux courts-circuits.
Spécifications techniques
-
Tension nominale : Tension nominale de 3300 V.
-
Courant nominal : Courant collecteur nominal de 1200 A à une température de boîtier de 80°C.
-
Vitesse de commutation : Commutation rapide avec un temps de chute typique à l'arrêt de 0,4 microseconde.
-
Résistance thermique : Faible résistance thermique jonction-vers-boîtier de 0,012 K/W.
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Tension d'isolation : Tension d'isolation entre la plaque de base et les bornes est de 6000 V AC pendant 60 secondes.
Module de puissance IGBT ABB 3BHB002000R0001 B25835S2205K007
Module de puissance IGBT ABB 3BHB002000R0001 B25835S2205K007
Module de puissance IGBT ABB B25835S2205K007
Description|Description
Le produit est un module de puissance Transistor Bipolaire à Grille Intégrée (IGBT) ABB, modèle B25835S2205K007.
Caractéristiques
Ce module de puissance IGBT est conçu pour des applications d'onduleurs à source de tension de puissance moyenne à élevée, offrant une haute efficacité, de faibles pertes de commutation et une grande capacité de tenue aux courts-circuits.
Spécifications techniques
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Tension nominale : Tension nominale de 3300 V.
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Courant nominal : Courant collecteur nominal de 1200 A à une température de boîtier de 80°C.
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Vitesse de commutation : Commutation rapide avec un temps de chute typique à l'arrêt de 0,4 microseconde.
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Résistance thermique : Faible résistance thermique jonction-vers-boîtier de 0,012 K/W.
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Tension d'isolation : Tension d'isolation entre la plaque de base et les bornes est de 6000 V AC pendant 60 secondes.
