1 3

ABB|5SHX08F4502|IGCT Gate Unit
SKU: 5SHX08F4502

  • Manufacturer: ABB

  • Product No.: 5SHX08F4502

  • Condition：در انبار

  • Product Type: IGCT Gate Unit

  • Product Origin: USA

  • Payment:T/T, Western Union

  • Weight: 780g

  • Shipping port: Xiamen

  • Warranty: 12 months

ABB 5SHX08F4502 IGCT Gate Unit

Description

The ABB 5SHX08F4502 is an Integrated Gate-Commutated Thyristor (IGCT) gate unit designed for high-reliability converter applications, supporting standardized control parameters to enable efficient operation in topologies like Voltage/Current Source Inverters and Static Breakers.

Features

    • Standardized control parameters for turn-on/off pulses, gate inductance, and back-porch current.
    • Two generations (A/B) with shared circuitry but different mechanical/drive specifications.
    • Robust optical control interface with EMI resistance, using 1 mm POF fiber (200 μm HCS for long distances).
    • Comprehensive diagnostics/protection: status feedback, fault detection, and optional anode voltage monitoring (Gen B).
    • Industrial-grade environmental compliance for thermal, vibration, and electromagnetic stress.

Technical Specifications

    • Power Supply:
      • Input voltage (VGIN,RMS): Must stay within datasheet-specified range; square-wave AC only (avoid sinusoidal).
      • Start-up: Requires ≥28 V during start-up; peak current consumption may cause voltage dips, necessitating direct measurement at connector X1.
      • Burst capability: Handles high-current pulses (e.g., 100 pulses of 3 kA within 20 ms with VGAC ≥40 V, dependent on model-specific factor).
    • Switching Performance:
      • Turn-on/off delay: ~2.8 μs (50% command signal to 50% gate-cathode voltage VGK).
      • Pulse widths: Minimum ON/OFF pulses follow IGCT datasheet; glitch filter ignores pulses <400 ns.
      • Re-triggering: External re-trigger via 0.7–1.1 μs OFF pulses during on-state, with earliest re-trigger >20 μs after turn-on.
    • Optical Interface:
      • 650 nm wavelength with HFBR-1528/HFBR-2521Z components.
      • Fiber requirements: 1 mm POF for short distances; 200 μm HCS for >15 m; bend radius ≥35 mm to avoid attenuation.
    • Environmental Limits:
      • Thermal: Lifetime operation dependent on load; capacitor lifetime ~20 years with forced air-cooling (air velocity >0.5 m/s).
      • Vibration: Compliant with IEC 68: 5–57 Hz (±0.175 mm sweep), 57–150 Hz (2.5gn), shock up to 30gn/11 ms.
      • EMI immunity: Withstands dv/dt >20 kV/μs (4 kV amplitude), di/dt 5 kA/μs (7 kA amplitude), and magnetic fields from 40 kA coils at 30 cm distance.
اطلاعات سفارش و گارانتی

شرایط خرید و بازگشت

راهنمایی‌های دقیق در مورد حداقل مقدار سفارش، زمان‌های تحویل، گزینه‌های پرداخت، گارانتی و سیاست‌های بازگشت.

اکنون بررسی کنید

ما با کمال میل سفارشات عمده را قبول می‌کنیم، با حداقل مقدار سفارش تنها یک واحد.

در صورت درخواست، می‌توانیم تمام مدارک لازم، از جمله گواهی‌های مبدا/تطابق و سایر مدارک صادراتی مورد نیاز را ارائه دهیم.

ما 100% پرداخت T/T (انتقال تلگرافی) را قبل از ارسال قبول می‌کنیم. برای اقلامی که زمان تحویل دارند، 30% پیش‌پرداخت الزامی است و 70% باقی‌مانده قبل از ارسال قابل پرداخت است. برای انتقالات RMB، لطفاً در صورت داشتن نماینده‌ای در چین با ما تماس بگیرید.

تمام اقلام جدید و اصلی با گارانتی استاندارد یک ساله ارائه می‌شوند. برای گزینه‌های گارانتی تمدید شده، لطفاً با ما تماس بگیرید تا جزئیات قیمت را دریافت کنید.

ما رضایت شما را در اولویت قرار می‌دهیم. اگر نیاز به بازگشت یک کالا دارید، باید این کار را ظرف ۳۰ روز از تاریخ خرید انجام دهید. محصول باید استفاده نشده، باز نشده و در بسته‌بندی اصلی خود، شامل تمام لوازم جانبی باشد. بازپرداخت‌ها ظرف ۵-۷ روز کاری پس از دریافت بازگشت پردازش خواهند شد. لطفاً توجه داشته باشید که هزینه‌های حمل و نقل و بسته‌بندی غیرقابل بازگشت هستند.
اکنون بررسی کنید

مقایسه محصول

ABB|5SHX08F4502|IGCT Gate Unit
ABB|5SHX08F4502|IGCT Gate Unit
ABB|5SHX08F4502|IGCT Gate Unit
محصول فعلی جاری
ABB

ABB|5SHX08F4502|IGCT Gate Unit

گزینه ها
در انبار
توضیحات
ABB 5SHX08F4502 IGCT Gate Unit

Description

The ABB 5SHX08F4502 is an Integrated Gate-Commutated Thyristor (IGCT) gate unit designed for high-reliability converter applications, supporting standardized control parameters to enable efficient operation in topologies like Voltage/Current Source Inverters and Static Breakers.

Features

    • Standardized control parameters for turn-on/off pulses, gate inductance, and back-porch current.
    • Two generations (A/B) with shared circuitry but different mechanical/drive specifications.
    • Robust optical control interface with EMI resistance, using 1 mm POF fiber (200 μm HCS for long distances).
    • Comprehensive diagnostics/protection: status feedback, fault detection, and optional anode voltage monitoring (Gen B).
    • Industrial-grade environmental compliance for thermal, vibration, and electromagnetic stress.

Technical Specifications

    • Power Supply:
      • Input voltage (VGIN,RMS): Must stay within datasheet-specified range; square-wave AC only (avoid sinusoidal).
      • Start-up: Requires ≥28 V during start-up; peak current consumption may cause voltage dips, necessitating direct measurement at connector X1.
      • Burst capability: Handles high-current pulses (e.g., 100 pulses of 3 kA within 20 ms with VGAC ≥40 V, dependent on model-specific factor).
    • Switching Performance:
      • Turn-on/off delay: ~2.8 μs (50% command signal to 50% gate-cathode voltage VGK).
      • Pulse widths: Minimum ON/OFF pulses follow IGCT datasheet; glitch filter ignores pulses <400 ns.
      • Re-triggering: External re-trigger via 0.7–1.1 μs OFF pulses during on-state, with earliest re-trigger >20 μs after turn-on.
    • Optical Interface:
      • 650 nm wavelength with HFBR-1528/HFBR-2521Z components.
      • Fiber requirements: 1 mm POF for short distances; 200 μm HCS for >15 m; bend radius ≥35 mm to avoid attenuation.
    • Environmental Limits:
      • Thermal: Lifetime operation dependent on load; capacitor lifetime ~20 years with forced air-cooling (air velocity >0.5 m/s).
      • Vibration: Compliant with IEC 68: 5–57 Hz (±0.175 mm sweep), 57–150 Hz (2.5gn), shock up to 30gn/11 ms.
      • EMI immunity: Withstands dv/dt >20 kV/μs (4 kV amplitude), di/dt 5 kA/μs (7 kA amplitude), and magnetic fields from 40 kA coils at 30 cm distance.