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Módulo IGBT GE Fanu|CM400RGICH1AFD
SKU: CM400RGICH1AFD

  • Manufacturer: GE Fanuc

  • Product No.: CM400RGICH1AFD

  • Condition：En stock

  • Product Type: Módulo IGBT

  • Product Origin: USA

  • Payment:T/T, Western Union

  • Weight: 3600g

  • Shipping port: Xiamen

  • Warranty: 12 months

Módulo IGBT GE Fanuc CM400RGICH1AFD

Descripción
El GE Fanuc CM400RGICH1AFD es un módulo transistor bipolar de puerta aislada (IGBT) de alta potencia, diseñado para su uso en accionamientos de motores industriales, inversores y sistemas de conversión de potencia.

Características
Configuración de IGBT dual con diodos de rueda libre integrados. Optimizado para una alta frecuencia de conmutación y bajas pérdidas de conducción. Incluye un termistor NTC para la monitorización de la temperatura.

Especificaciones técnicas
Tensión nominal colector-emisor (VCES): 1200 V
Corriente continua de colector (IC): 400 A a 25 °C
Corriente máxima de colector (ICM): 800 A
Tensión puerta-emisor (VGES): ±20 V máximo
Energía de conmutación (Eon + Eoff): aprox. 250 mJ a 600 V, 400 A, 150 °C
Temperatura de unión operativa: –40 °C a +150 °C
Resistencia térmica (Rth(j-c)): 0,035 °C/W
Resistencia del termistor NTC: 5 kΩ a 25 °C
Tensión de aislamiento: 4000 V CA (1 min)

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Descripción
El GE Fanuc CM400RGICH1AFD es un módulo transistor bipolar de puerta aislada (IGBT) de alta potencia, diseñado para su uso en accionamientos de motores industriales, inversores y sistemas de conversión de potencia.

Características
Configuración de IGBT dual con diodos de rueda libre integrados. Optimizado para una alta frecuencia de conmutación y bajas pérdidas de conducción. Incluye un termistor NTC para la monitorización de la temperatura.

Especificaciones técnicas
Tensión nominal colector-emisor (VCES): 1200 V
Corriente continua de colector (IC): 400 A a 25 °C
Corriente máxima de colector (ICM): 800 A
Tensión puerta-emisor (VGES): ±20 V máximo
Energía de conmutación (Eon + Eoff): aprox. 250 mJ a 600 V, 400 A, 150 °C
Temperatura de unión operativa: –40 °C a +150 °C
Resistencia térmica (Rth(j-c)): 0,035 °C/W
Resistencia del termistor NTC: 5 kΩ a 25 °C
Tensión de aislamiento: 4000 V CA (1 min)