Módulo de potencia IGBT ABB 3BHB002000R0001 B25835S2205K007
Módulo de potencia IGBT ABB B25835S2205K007
Descripción
El producto es un módulo de potencia Transistor Bipolar de Puerta Integrada (IGBT) de ABB, modelo B25835S2205K007.
Características
Este módulo de potencia IGBT está diseñado para aplicaciones de inversores de fuente de voltaje de potencia media a alta, con alta eficiencia, bajas pérdidas de conmutación y alta capacidad de soportar cortocircuitos.
Especificaciones Técnicas
-
Clasificación de voltaje: Voltaje nominal es 3300 V.
-
Clasificación de Corriente: Corriente nominal del colector es 1200 A a 80°C de temperatura de la carcasa.
-
Velocidad de conmutación: Conmutación rápida con tiempo típico de apagado de 0.4 microsegundos.
-
Resistencia térmica: Baja resistencia térmica unión-a-carcasa de 0.012 K/W.
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Voltaje de aislamiento: Voltaje de aislamiento entre la placa base y los terminales es de 6000 V CA durante 60 segundos.
Módulo de potencia IGBT ABB 3BHB002000R0001 B25835S2205K007
Módulo de potencia IGBT ABB 3BHB002000R0001 B25835S2205K007
Módulo de potencia IGBT ABB B25835S2205K007
Descripción
El producto es un módulo de potencia Transistor Bipolar de Puerta Integrada (IGBT) de ABB, modelo B25835S2205K007.
Características
Este módulo de potencia IGBT está diseñado para aplicaciones de inversores de fuente de voltaje de potencia media a alta, con alta eficiencia, bajas pérdidas de conmutación y alta capacidad de soportar cortocircuitos.
Especificaciones Técnicas
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Clasificación de voltaje: Voltaje nominal es 3300 V.
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Clasificación de Corriente: Corriente nominal del colector es 1200 A a 80°C de temperatura de la carcasa.
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Velocidad de conmutación: Conmutación rápida con tiempo típico de apagado de 0.4 microsegundos.
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Resistencia térmica: Baja resistencia térmica unión-a-carcasa de 0.012 K/W.
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Voltaje de aislamiento: Voltaje de aislamiento entre la placa base y los terminales es de 6000 V CA durante 60 segundos.
