1 3

ABB|5SHX0845F0001| IGCT Gate Unit
SKU: 5SHX0845F0001

  • Manufacturer: ABB

  • Product No.: 5SHX0845F0001

  • Condition：في الأوراق المالية

  • Product Type: IGCT Gate Unit

  • Product Origin: USA

  • Payment:T/T, Western Union

  • Weight: 780g

  • Shipping port: Xiamen

  • Warranty: 12 months

ABB 5SHX0845F0001 IGCT Gate Unit

Description

ABB 5SHX0845F0001 is an Integrated Gate-Commutated Thyristor (IGCT) gate unit designed for converter applications such as Voltage/Current Source Inverters, Resonance Converters, and Static Breakers, with standardized control parameters for reliable operation.

Features

  • Standardized control parameters (turn-on/off pulse amplitudes, width, rise rate, gate inductance, back-porch current).
  • Two generations (A/B) with similar circuitry but different mechanical sizes/drive dimensions.
  • Optical control interface with 1 mm POF fiber, robust against EMI.
  • Diagnostics/protection functions: status feedback, fault detection, anode voltage monitoring (optional for Gen B).
  • Thermal management and vibration compliance for industrial environments.

Technical Specifications

  • Input Voltage: VGIN,RMS within specified range (square-wave AC; avoid sinusoidal), minimum 28 V during start-up.
  • Power Consumption: Load-dependent, influenced by turn-off current (ITGQ), switching frequency (fS), and silicon temperature (Tvj).
  • Switching Delays: Typical turn-on/off delay ~2.8 μs (50% CS to 50% VGK).
  • Pulse Widths: Minimum ON/OFF pulse widths as per IGCT data sheet; glitch filter ignores pulses <400 ns.
  • Burst Capability: Supports high-current pulse sequences (e.g., 100 pulses of 3 kA within 20 ms with VGAC ≥40 V).
  • Environmental Limits:
    • Ambient temperature: Dependent on load (refer to lifetime operation curves).
    • Vibration: Compliant with IEC 68 (5–150 Hz, up to 2.5gn sine sweep; shock 15–30gn).
معلومات الطلب والضمان

شروط الشراء والإرجاع

إرشادات مفصلة حول الحد الأدنى لكمية الطلب ومواعيد التسليم وخيارات الدفع والضمان وسياسات الإرجاع.

تحقق الآن

نحن نقبل بكل سرور الطلبات بالجملة، مع الحد الأدنى لكمية الطلب وهو وحدة واحدة فقط.

عند الطلب، يمكننا تقديم جميع المستندات اللازمة، بما في ذلك شهادات المنشأ/المطابقة وغيرها من أوراق التصدير المطلوبة.

نحن نقبل الدفع بنسبة 100% T/T (التحويل البرقي) قبل الشحن. بالنسبة للعناصر التي تتطلب مهلة زمنية، يلزم إيداع 30% مقدمًا، مع دفع 70% المتبقية قبل الشحن. بالنسبة للتحويلات بالرنمينبي، يرجى الاتصال بنا إذا كان لديك وكيل في الصين.

جميع العناصر الجديدة والأصلية تأتي مع ضمان قياسي لمدة عام واحد. للحصول على خيارات الضمان الممتد، لا تتردد في الاتصال بنا للحصول على تفاصيل التسعير.

نحن نعطي الأولوية لرضاك. إذا كنت بحاجة إلى إرجاع منتج ما، فيجب أن يتم ذلك خلال 30 يومًا من تاريخ الشراء. يجب أن يكون المنتج غير مستخدم، وغير مفتوح، وفي عبوته الأصلية، بما في ذلك جميع الملحقات. ستتم معالجة المبالغ المستردة خلال 5-7 أيام عمل من استلام المرتجع. يرجى ملاحظة أن رسوم الشحن والمناولة غير قابلة للاسترداد.
تحقق الآن

مقارنة السلعة

ABB|5SHX0845F0001| IGCT Gate Unit
ABB|5SHX0845F0001| IGCT Gate Unit
ABB|5SHX0845F0001| IGCT Gate Unit
المنتج الحالي حاضِر
ABB

ABB|5SHX0845F0001| IGCT Gate Unit

خيارات
في الأوراق المالية
الأوصاف
ABB 5SHX0845F0001 IGCT Gate Unit

Description

ABB 5SHX0845F0001 is an Integrated Gate-Commutated Thyristor (IGCT) gate unit designed for converter applications such as Voltage/Current Source Inverters, Resonance Converters, and Static Breakers, with standardized control parameters for reliable operation.

Features

  • Standardized control parameters (turn-on/off pulse amplitudes, width, rise rate, gate inductance, back-porch current).
  • Two generations (A/B) with similar circuitry but different mechanical sizes/drive dimensions.
  • Optical control interface with 1 mm POF fiber, robust against EMI.
  • Diagnostics/protection functions: status feedback, fault detection, anode voltage monitoring (optional for Gen B).
  • Thermal management and vibration compliance for industrial environments.

Technical Specifications

  • Input Voltage: VGIN,RMS within specified range (square-wave AC; avoid sinusoidal), minimum 28 V during start-up.
  • Power Consumption: Load-dependent, influenced by turn-off current (ITGQ), switching frequency (fS), and silicon temperature (Tvj).
  • Switching Delays: Typical turn-on/off delay ~2.8 μs (50% CS to 50% VGK).
  • Pulse Widths: Minimum ON/OFF pulse widths as per IGCT data sheet; glitch filter ignores pulses <400 ns.
  • Burst Capability: Supports high-current pulse sequences (e.g., 100 pulses of 3 kA within 20 ms with VGAC ≥40 V).
  • Environmental Limits:
    • Ambient temperature: Dependent on load (refer to lifetime operation curves).
    • Vibration: Compliant with IEC 68 (5–150 Hz, up to 2.5gn sine sweep; shock 15–30gn).